Organische Leuchtdioden (OLEDs) haben in der Displaytechnologie industrielle Reife erreicht, da sie herausragende Vorteile wie hohe Helligkeit, schnelle Reaktionszeiten, einen großen Betrachtungswinkel, mechanische Flexibilität und niedrige Herstellungskosten bieten. Aufgrund ihrer Fähigkeit zur Elektrolumineszenz (EL) aus Triplett- sowie Singulett-Anregungszuständen haben phosphoreszierende OLEDs (PHOLEDs) das Potenzial, eine interne Quanteneffizienz von 100 % zu erreichen. Daher können PHOLEDs eine wettbewerbsfähige externe Quanteneffizienz bieten. Allerdings ist die Betriebsstabilität von PHOLEDs relativ schlecht. Es wurden mehrere Mechanismen vorgeschlagen, um die chemischen und physikalischen Phänomene im Zusammenhang mit der intrinsischen Degradation von PHOLEDs zu adressieren, dennoch sind die Gründe für den Spannungsanstieg und den Helligkeitsverlust, die mit dem Langzeitbetrieb von PHOLEDs einhergehen, noch nicht vollständig geklärt. Durch die Untersuchung der Indiumzinnoxid (ITO)/organischen Grenzfläche in vereinfachten PHOLEDs wurde festgestellt, dass diese Grenzfläche für die Leistung von PHOLEDs entscheidend ist. Die Studie zeigt, dass diese Grenzfläche für die Gesamtstabilität von PHOLEDs entscheidend ist und als einer der limitierenden Faktoren für die langfristige Betriebsstabilität vereinfachter PHOLEDs angesehen wird.